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TOF SIMS在OLED方面的应用

浏览: 时间:2022-03-10

 Iida, S, Murakami, T, Kurosawa, Y, Suzuri, Y, Fisher, GL, Miyayama, T. Time-of-flight secondary ion tandem mass spectrometry depth profiling of organic light-emitting diode devices for elucidating the degradation process. Rapid Commun Mass Spectrom. 2020; 34:e8640. https://doi.org/10.1002/rcm.8640

利用GCIB对新鲜的OLED样品以及亮度衰减50%的OLED样品进行深度分析,TOF-SIMS在深度分析时可以同时得到质谱图、Mapping图以及深度曲线图,由质谱图可知,相比于新鲜的OLED样品,降解后观察到低质量碳氢化合物离子的增加,如[C3H5]+、[C4H7]+、[C5H9]+、和[C6H9]+(图3(A))。此外,这些碳氢化合物碎片在分析区域内定位到几微米大小的缺陷区域(图3(B)),并贯穿整个剖面深度(图3(C))。而且,无论是新鲜的OLED样品以及亮度衰减50%的OLED样品,在有几层/ITO界面处都发现有较强的C5H9/C6H9,这些小的碳氢分子子片段,一部分来源于有机层的降解,另一部分来自于ITO层的表面污染。

TOF SIMS在OLED方面的应用 

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